臺積電基本代表了芯片生產行業的國際一流水平,所以這個問題也可以理解為中國需要多久時間趕上國際一流水平。

臺灣積體電路制造股份有限公司,簡稱臺積電(TSMC),屬于半導體制造公司。
2017年,領域占有率56%。臺積電的7nm制程的芯片已經開始量產,還投資了250億美元,開發下一代5nm工藝,預計2019年初開始測試芯片的流片。往后還有3nm工藝也在規劃之中。
大陸方面目前應該具備28nm工藝芯片的量產能力。而實力最強的中芯國際在2018年中表示該公司在14nm FinFET技術開發上獲得重大進展。
跟臺積電的差距顯而易見。臺積電目前是量產7nm工藝,大陸目前只具備28nm工藝的量產能力。其中隔了好起碼三代,20nm,14/16nm和10nm工藝。
換句胡說,大陸量產芯片的頂尖水平跟臺積電差了四代。至于技術測試方面,就算大陸已經在14nm工藝上獲得突破,跟臺積電的5nm工藝依然有三代差距。

就目前的情況來說,大陸至少落后臺積電5年。
2009年臺積電宣布28nm工藝獲得突破,2011年的時候已經實現量產。中芯國際2013年宣布開發28nm工藝,2015年宣布量產,這還是在高通的幫助下實現的。
考慮到中芯國際實現量產的時候并沒有達到該工藝的最高水準,到2017年中芯國際的28nm HKMG(高介電常數金屬閘極)工藝才成功流片。
換句話說到2017年中芯國際才具備量產高性能28nm工藝芯片的能力。說中芯國際落后臺積電5年都是往少了說,事實差距絕對不止五年。
接下來的幾年里,臺積電還會繼續快速突破,因為目前為止還遠遠沒有達到基數上限。
中芯國際能不被拉大差距就算不錯了。根據ITRS的報告,至2030年,半導體工藝節點將達到2/1.5nm。
至少在2030年之前,臺積電應該是不會停下腳步等大陸追趕。考慮到臺積電的技術積累和資金實力也是非常雄厚的,大陸并不會在研發進程上占什么便宜。
而且隨著工藝難度不斷提高,繼續推進的難度越大來越大,已經有部分半導體企業宣布暫時中止進軍7nm工藝而是專注于把現有市場做好。
因為研發投入太大,不是一般企業可以支撐的。大陸半導體企業雖然不需要為資金擔心太多,有必要的情況下必定會有政策扶持。
但是,最起碼說明了這個新工藝的開發難度相比以往更加艱難。大陸半導體行業的基礎薄弱,想要快速突破更是難上加難。
因此,至少可以肯定的是,在未來十年內,大陸半導體跟臺積電為代表的國際先進水平之間一定會繼續保持明顯差距。

想要趕上臺積電,大陸半導體需要多久?
這個問題很難說。但是可以肯定的是,在十五年以內,大陸半導體行業想要趕上臺積電都非常苦難。不是說完全不可能,但是可能性微乎其微。